9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4005GP-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4005GP-E3/54参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4005GP-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL。您可以下载1N4005GP-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4005GP是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-41，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
1N4005GL-T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在2μs内工作，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
1N4005G-B是整流器Vr/600V Io/1A BULK，包括单一配置，其设计工作电流为1 a。如果数据表注释中显示了5 uA使用的正向电流、Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计工作温度为30 a，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-41，该设备为散装包装，该设备具有标准产品回收整流器，单位重量为0.010935盎司，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V。
