9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的USB260HM3/52T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。USB260HM3/52T参考价格为0.62000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division USB260HM3/52T封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA。您可以下载USB260HM3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的USB260HM3/52T,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表说明中显示了用于DO-214AA、SMB的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-214A a(SMB),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@600V,该器件提供1.6V@2A电压正向Vf Max。如果,该器件具有600V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为2A,反向恢复时间trr为30ns,电容Vr F为45pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
USB260HE3/52T是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA,包括1.6V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AA(SMB)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为30ns,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,电流平均整流Io为2A。
USB260HE3/5BT是二极管GEN PURP 600V 2A DO214AA,包括2A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及DO-214AA,SMB包装箱,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,反向恢复时间trr为30ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的DO-214AA(SMB),电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为1.6V@2A。