9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4151WS-E3-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4151WS-E3-08参考价格为0.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4151WS-E3-08包装/规格:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323。您可以下载1N4151WS-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4151WS-G3-08,带引脚细节,包括胶带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于SC-76、SOD-323包装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如SOD-323,速度设计用于小信号=,以及标准二极管类型,该器件也可以用作50nA@50V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1V@50mA,该器件提供50V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有150mA的平均整流电流Io,反向恢复时间trr为4ns,其工作温度结范围为-55°C~150°C。
1N4151WS-G3-18,带用户指南,包括1V@50mA电压正向Vf最大值。如果设计为在50V电压直流反向Vr最大值下运行,则数据表说明中显示了SOD-323中使用的供应商设备包,该设备包提供速度特性,如小信号=,反向恢复时间trr设计为在4ns内工作,以及磁带和卷轴(TR)交替包装,该器件也可以用作SC-76、SOD-323封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为50nA@50V,电流平均整流Io为150mA。
带电路图的1N4151WS-HE3-08,包括150mA电流平均整流Io,它们设计为在50nA@50V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结区范围为-55°C~150°C,以及SC-76、SOD-323封装外壳,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,反向恢复时间trr为4ns,设备以小信号=速度提供,设备具有供应商设备包的SOD-323,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为1V@50mA。
1N4151WS-HE3-18,带EDA/CAD型号,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于表面安装安装型,二极管类型如数据表注释所示,用于标准,提供供应商设备封装功能,如SOD-323,速度设计用于小信号=,以及SC-76、SOD-323封装外壳,其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外,直流反向电压Vr最大值为50V,该器件提供50nA@50V电流反向泄漏Vr,该器件具有4ns的反向恢复时间trr,正向电压Vf最大值If为1V@50mA,电流平均整流Io为150mA。