9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GB02SLT12-214，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GB02SLT12-214价格参考3.89000美元。GeneSiC半导体GB02SLT12-214封装/规格：二极管肖特基1.2KV 2A DO214AA。您可以下载GB02SLT12-214英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GB02SHT06-46是二极管肖特基600V 4A，包括肖特基二极管产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-206AB、to-46-3金属罐等封装盒功能，技术设计用于SiC，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-46供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供的无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.6V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为4A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为76pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~225°C，Pd功耗为64 W，其最大工作温度范围为+225 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.6 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为4 A，Vrm重复反向电压为600V，Ifsm正向浪涌电流为10A。
带用户指南的GB02SLT12-214，包括1.8V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AA中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），系列设计为在GB02SLT1 2中运行，以及0ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电流平均整流Io为2A（DC），电容Vr F为131pF@1V，1MHz。
带电路图的GB02SLT06-214，请联系技术支持团队了解更多GB02SLTO6-214信息。
