9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4001-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4001-E3/73参考价格0.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4001-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL。您可以下载1N4001-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4001-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N4001-E3/73，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-50°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
1N4001-E3/53是DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf Max下工作1.1V。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，该50V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.010935 oz，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用磁带盒（TB）包装，该设备具有DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-50°C~150°C，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-50 C，最大浪涌电流为30 a，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4001B-G是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于1A，以及5 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为30 A，最小工作温度范围是-55℃，该设备具有安装型通孔，其工作温度连接范围为-55℃~150℃，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为磁带盒（TB），产品为无恢复时间整流器，系列为1N4001，速度为标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），供应商设备包为DO-41，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为50V。
