9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U30CCT-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U30CCT-E3/4W参考价格$4.834。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U30CCT-E3/4W封装/规格：DIODE ARRAY GP 150V 15A TO220AB。您可以下载U30CCT-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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U309是JFET JFET N沟道，包括卷轴封装，它们设计为采用通孔安装方式操作，封装盒如数据表注释所示，用于to-52-3，提供Si等技术特性，配置设计为单路工作，以及500 mW Pd功耗，该器件也可作为1 nA Id连续漏电流使用。此外，Vds漏极-源极击穿电压为10V，该器件以N沟道晶体管极性提供，该器件具有10mS的正向跨导最小值，Vgs栅极-源极电压为-25V，漏极-漏极电压Vdss为30mA，栅极-源截止电压为-4V。
U308是JFET N通道20mA，包括-25 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在10 V Vds漏极-源极间击穿电压下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N通道，提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为500 mW，以及to-52-3封装外壳，该装置也可以用作通孔安装型。此外，Id连续漏极电流为1 nA，该器件提供-6 V栅极-源极截止电压，该器件具有10 mS的正向跨导最小值，漏极-源极电压Vdss为60 mA，配置为单一。
U30C20A，带有MOPEC制造的电路图。U30C20A采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
U30C20C，带有MOPEC制造的EDA/CAD模型。U30C20C采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
