9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB18ACTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB18ACTHE3/45参考价格为0.56735美元。Vishay通用半导体-二极管部门UGB18ACTHE3/45封装/规格：二极管阵列GP 50V 18A TO263AB。您可以下载UGB18ACTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB12JTHE3/81是DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB，包括UGx12xT系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB的包装盒，提供了表面安装等安装类型功能，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为30μA@600V，该器件提供1.75V@12A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
UGB12JTHE3/45是DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB，包括1.75V@12A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在UGx12xT下工作，以及50ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作管替代包装包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为30μa@600V，电流平均整流Io为12A。
UGB15JT-E3/81是DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB，包括15A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作30μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.75V@15A。
UGB15JT是VISHAY制造的二极管GEN PURP 600V 15A TO263AB。UGB15JT采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IC芯片的一部分，支持DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB。
