9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB8HCTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB8HCTHE3/45价格参考1.075534美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB8HCTHE3/45封装/规格：DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB。您可以下载UGB8HCTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB8GT-E3/81是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，正向电压Vf Max If为1.25V@8A，直流反向电压Vr Max为400V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-40°C，20 A时Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为110 A，恢复时间为50 ns。
UGB8GTHE3/81是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括1.25V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB包装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，并且电流平均整流Io为8A。
UGB8GTHE3/45是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可作为管替代包装包装使用。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@8A。
UGB8GT是由IR制造的超快高效整流器-单二极管。UGB8GT采用TO-263封装，是二极管、整流器-单的一部分，并支持超快高效整流器–单二极管。
