9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的1N5408K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5408K参考价格0.09300美元。Diotec Semiconductor 1N5408K封装/规格：DIODE STD DO-15 1000V 3A。您可以下载1N5408K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5408G-T是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD，包括1N54系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为125A，恢复时间为2000ns。
1N5408GP-TP是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
1N5408GP-E3/54，带电路图，包括30pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-201AD供应商设备包，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.2V@3A。
1N5408G-B是整流器Vr/1000V Io/3A BULK，包括通孔安装型，它们设计用于标准恢复整流器产品，配置如数据表说明所示，用于单体，提供DO-201AD等封装箱功能，封装设计用于散装，以及5 uA Ir反向电流，该设备也可以用作3A If正向电流。此外，最大浪涌电流为150 A，该设备提供1000 V Vr反向电压，该设备具有1.1 V Vf正向电压，单位重量为0.038801盎司，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C。
