9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SL04-HM3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SL04-HM3-08参考价格为0.43000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SL04-HM3-08封装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB。您可以下载SL04-HM3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SL04-GS18是DIODE SCHOTTKY 40V DO219，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表说明所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的磁带和卷轴（TR），包装盒设计用于DO-219AB，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-219AB（SMF），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为20μa@40V，电压正向Vf Max If为530mV@1.1A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为1.1A，反向恢复时间trr为10ns，工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为0.51 V（0.5A），Ir反向电流为20 uA，If正向电流为1.1 A，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为40A。
SL04-M-08是DIODE SCHOTTKY 40V DO219-M，包括530mV@1.1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在40V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-219AB（SMF）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及10ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-219AB，其工作温度结范围为125°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为20μa@40V，电流平均整流Io为1.1A。
SL04-M-18带有电路图，包括1.1A电流平均整流Io，它们设计为在20μa@40V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-219AB封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-219AB（SMF）供应商设备包，直流反向电压Vr Max为40V，正向电压Vf Max If为530mV@1.1A。
SL04-HE3-08具有EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于肖特基二极管型，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供供应商设备封装功能，如DO-219AB（SMF），封装盒设计用于DO-219A B，以及Digi-ReelR替代封装，该器件还可以用作510mV@500mA电压正向Vf Max If。此外，电压直流反向Vr Max为40V，该器件提供20μA@40V电流反向泄漏Vr，其工作温度结范围为125°C（最大值），反向恢复时间trr为10ns，电流平均整流Io为1.1A。
