9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的US1D-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。美国1D-TP价格参考值0.40000美元。Micro Commercial Co US1D-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载US1D-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1D-M3/61T是DIODE 1A 200V 50NS DO-214AC，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AA、SMA包装箱一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-214AC（SMA），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@1A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
带用户指南的US1D-M3/5AT，包括1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AC（SMA），提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，SMA封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
US1DT/R，电路图由PANJIT制造。US1DT/R采用DO214AC封装，是IC芯片的一部分。
