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IDW40G65C5XKSA1

  • 描述:二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 40A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 128.41661 128.41661
10+ 118.03029 1180.30298
100+ 106.35764 10635.76410
  • 库存: 239
  • 单价: ¥120.01485
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥128.42
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作结温 -55摄氏度~175摄氏度
  • 二极管种类 碳化硅肖特基
  • 速度 无恢复时间>500毫安(Io)
  • 反向恢复时长 (trr) 0纳秒
  • 最大直流反向电压 (Vr) 650 V
  • 整流平均值 (Io) 40A (DC)
  • 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.7伏@40安
  • 反向漏电流 @ 直流反向电压 220A@650伏
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3
  • 电容@Vr、法数 1140皮法@1V,1MHz
  • 特点 -

IDW40G65C5XKSA1 产品详情

冷却SiC™ 第5代代表了Infineon领先的SiC肖特基势垒二极管技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术,新系列产品在所有负载条件下都显示出更高的效率,这是由于热特性的改善和较低的品质因数(Qcx伏f).

新型CoolSiC™ 第5代旨在补充我们的650V CoolMOS™ 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

特色

  • 650V时的V br
  • 改进的品质因数(Q c x V f)
  • 无反向回收费用
  • 软开关反向恢复波形
  • 与温度无关的开关行为
  • 高工作温度(T j最高175°C)
  • 提高浪涌能力
  • 无铅铅镀层
  • 更高的过电压安全裕度,补充了CoolMOS™ 提供
  • 在所有负载条件下提高效率
  • 与硅二极管替代品相比,效率更高
  • 与快速硅二极管反向恢复波形相比,EMI降低
  • 高度稳定的切换性能
  • 降低冷却要求
  • 降低热失控风险
  • 符合RoHS
  • 非常高质量和大批量的制造能力

应用

  • 太阳的
  • 不间断电源(UPS)
  • 电机控制和驱动
IDW40G65C5XKSA1所属分类:单整流二极管,IDW40G65C5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IDW40G65C5XKSA1价格参考¥120.014853,你可以下载 IDW40G65C5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IDW40G65C5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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