9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1G-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1G-E3/5AT参考价格为0.50000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1G-E3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载RS1G-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1GB-13-F是DIODE GEN PURP 400V 1A SMB，包括RS1GB系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003280盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，设备为单配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为150ns。
RS1GB-13是DIODE GEN PURP 400V 1A SMB，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMB中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为150ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
带有电路图的RS1G300GNTB，包括卷筒包装，设计用于RS1G300GN系列。
