9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3889R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3889R参考价格为10.29000美元。GeneSiC半导体1N3889R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4。您可以下载1N3889R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3883R是DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4，包括1N3883系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可用作机箱、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为15μa@50V，电压正向Vf Max If为1.4V@6A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为15 uA，If正向电流为6 A，最大浪涌电流为90 A，恢复时间为200 ns。
1N3883是DIODE GEN PURP 400V 6A DO4，包括400 V Vr反向电压，它们设计为以1.4V@6A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.4 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为1N3883，该设备提供200ns反向恢复时间trr，该设备具有200ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为90 A，Ir反向电流为15 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为15μA@50V，电流平均整流Io为6A。
1N3889是二极管GEN PURP 50V 12A DO4，包括12A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-203AA、DO-4，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-4供应商设备包，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.4V@12A。
