9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BY252，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY252参考价格$0.07330。Diotec Semiconductor BY252封装/规格：DIODE STD DO-201 400V 3A。您可以下载BY252英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BY251P-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.038801盎司，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于DO-201AD、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为3000ns。
BY251GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY251GPHE3/73是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括40pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.1V@3A。
BY251P-E3/73，带有EDA/CAD型号，包括通孔安装型，它们设计为与磁带盒（TB）封装一起工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供速度特性，如小信号=，封装盒设计用于DO-201AD、轴向以及DO-201AD供应商设备封装，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件提供40pF@4V，1MHz电容Vr F，该器件具有3μs反向恢复时间trr，电流平均整流Io为3A，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A。
