9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BY251P-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY251P-E3/54参考价格为0.50000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BY251P-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD。您可以下载BY251P-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BY251GP-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及SUPERECTFIER商品名，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是3A，并且最大浪涌电流是100A，并且恢复时间是3000ns。
BY251GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY251GPHE3/73是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括40pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.1V@3A。
