9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的RS1DFSHMWG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1DFSHMWG参考价格为0.52000美元。台湾半导体公司RS1DFSHMWG封装/规格：DIODE。您可以下载RS1DFSHMWG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RS1D-E3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于RS1D-E3/5AT零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为150 ns。
RS1DB-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，提供1.3V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.003280盎司，以及SMB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为RS1DB，该设备提供150ns反向恢复时间trr，该设备具有150ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
RS1D-E3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@200V，二极管类型设计用于标准工作，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-55℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为DO-214AC，SMA，包装为Digi-ReelR替代包装，零件别名为RS1D-E3/61T，恢复时间为150ns，反向恢复时间trr为150ns；速度为快速恢复=20mA（Io）；供应商设备包装为DO-214AC（SMA），单位重量为0.002258盎司，Vf正向电压为1.3V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，Vr反向电压为200V。
