9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的FR85G02，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FR85G02价格参考29.57000美元。GeneSiC Semiconductor FR85G02封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 85A DO5。您可以下载FR85G02英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FR85DR02是DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5，包括FR85D系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308盎司，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为25μa@100V，正向电压Vf Max If为1.4V@85A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为85A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-40°C~125°C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为25 uA，If正向电流为85 A，最大浪涌电流为1369 A，恢复时间为200 ns。
FR85DR05是DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.4V@85A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了1.4 V的正向电压特性，单位重量设计为1.005308盎司，以及DO-5供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为FR85D，该设备提供500ns反向恢复时间trr，该设备具有500ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度接合范围为-40°C~125°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为1369 A，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为85 A，二极管类型为标准型，反向极性，电流反向泄漏Vr为25μA@100V，电流平均整流Io为85A。
FR85D05是DIODE GEN PURP 200V 85A DO5，包括85A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如85A、Ir反向电流等正向电流功能，设计为在25uA下工作，以及1369 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为螺柱，其工作温度结范围为-40°C~125°C，装置具有DO-203AB、DO-5、包装箱螺柱，包装为散装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为500ns，反向恢复时间trr为500ns；系列为FR85D，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-5，单位重量为1.005308盎司，Vf正向电压为1.4V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.4V@85A，Vr反向电压为200V。
