9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4937GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4937GP-E3/73参考价格为0.42000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4937GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL。您可以下载1N4937GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4937GP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N4937GP E3/73，提供单位重量功能，如0.011711盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为200ns。
1N4937GP是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-41，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为150ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
1N4937GL-T是二极管GEN PURP 600V 1A DO41，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41，轴向包装箱，该设备也可用于胶带和卷筒（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-41，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A。
