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1N5551US是DIODE GEN PURP 400V 3A D5B，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于SQ-MELF，B，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作D-5B供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电压正向Vf Max If为1.2V@9A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为2 us。
1N5551是DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，其提供Vf正向电压功能，例如1 V，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）下工作，以及2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作2 us恢复时间。此外，该产品为标准回收整流器，该装置为散装包装，该装置具有B轴包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度连接范围为-65℃至175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为150 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为60 uA，如果正向电流为5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5550US，带电路图，包括3A电流平均整流Io，设计用于在1μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可用作SQ-MELF、B包装箱。此外，封装为散装，器件提供2μs反向恢复时间trr，器件的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商器件封装为D-5B，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@9A。
