9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1AHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1AHE3_A/H参考价格为0.45000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1AHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC。您可以下载S1AHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1AFM-M3/6B带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-221AC、SMA扁平引线包装盒一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-221AA（SlimSMA），速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.47μs，电容Vr F为7.9pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1AHE3/5AT是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1AHE3/61T是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
