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FDH5500_F085带有引脚细节，包括卡套管封装，设计用于0.225401盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供375 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为102 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为75 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为13.7ns，沟道模式为增强。
FDH600_T50R带用户指南，包括1V@200mA电压正向Vf Max，如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在6ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
FDH600_T50A，带电路图，包括2.5pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于200mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@50V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
FDH600是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括通孔安装型，设计用于标准二极管型，速度如数据表注释所示，用于提供DO-35等供应商设备封装功能的小信号=，封装外壳设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装封装，该器件还可以用作50V电压DC反向Vr最大值。此外，反向恢复时间trr为4ns，该器件以200mA电流平均整流Io提供，该器件在0V时具有2.5pF，1MHz电容Vr F，电压正向Vf最大值。如果在200mA时为1V，则其工作温度结范围为175°C（最大值），电流反向泄漏Vr为100nA@50V。
