9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STPSC12065G2-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STPSC12065G2-TR参考价格$4.12000。STMicroelectronics STPSC12065G2-TR封装/规格：650 V POWER SCHOTTKY硅汽车。您可以下载STPSC12065G2-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STPSC10H065GY-TR，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为表面安装，设备在D2PAK供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@650V，电压正向Vf Max If为1.75V@10A，电压反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为10A，电容Vr F为480pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-40°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.56 V，Vr反向电压为650 V，Ir反向电流为9 uA，并且If正向电流为10A，Vrm重复反向电压为650V，并且Ifsm正向浪涌电流为90A。
STPSC10H065G-TR是二极管硅650V 10A D2PAK，包括650 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.75V@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于650V的直流反向电压Vr Max，提供1.75 V等正向电压特性，单位重量设计为0.070548盎司，以及SiC技术，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，速度为无恢复时间>500mA（Io），该设备为STPSC10H065系列，该设备具有0ns的反向恢复时间trr，产品为肖特基碳化硅二极管，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB，其工作温度结范围为-40°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为0.1 mA，Ifsm正向浪涌电流为90 A，如果正向电流为10 A，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@650V，电流平均整流Io为10A，配置为单，电容Vr F为480pF@0V，1MHz。
带有电路图的STPSC10TH13TI，包括双重配置，它们设计为在10 a的情况下工作。如果正向电流、Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于470 a，提供Ir反向电流功能，如425 uA，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有肖特基碳化硅二极管产品，系列为STPSC10TH13TI，技术为SiC，单位重量为0.211644盎司，Vf正向电压为1.56 V，Vrm重复反向电压为650 V。
STPSC10H065G与ST.制造的EDA/CAD模型是IC芯片的一部分。
