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BAS19WT-TP是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于SC-70、SOT-323封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如SOT-323,速度设计用于小信号=,以及标准二极管类型,该器件也可以用作100nA@100V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.25V@200mA,该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有200mA(DC)电流平均整流Io,反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为5pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS19WTR,带用户指南,包括1.25V@200mA正向电压Vf Max,如果设计用于120V电压DC反向电压Vr Max,供应商设备包如数据表注释所示,用于SOT-323,提供速度特性,如小信号=,包装设计用于磁带和卷轴(TR),以及SC-70、SOT-323包装箱,其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为标准二极管类型,该器件具有100nA@120V的反向漏电Vr,平均整流电流Io为200mA,电容Vr F为5pF@0V,1MHz。
BAS19W-7-F-GIGA,电路图由DIODES制造。BAS19W-7-F-GIGA采用SOT-323封装,是IC芯片的一部分。