9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4150TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4150TR参考价格0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4150TR封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35。您可以下载1N4150TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4150TAP是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35，包括磁带盒（TB）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@200mA，该器件提供50V电压直流反向Vr Max，该器件具有150mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N4150-B，带有FSC制造的用户指南。1N4150-B采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
1N4150-H，带有HIT制造的电路图。1N4150-H采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
