9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE20PJ-M3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE20PJ-M3/84A参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE20PJ-M3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA。您可以下载SE20PJ-M3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE20PJHM3/84A，带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-220AA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-220A（SMP），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该器件提供1.05V@2A电压正向Vf Max If，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.6A，反向恢复时间trr为1.2μs，电容Vr F为13pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的SE20PG-M3/85A，包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-220AA（SMP）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于汽车AEC-Q101，以及1.2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1.6A，电容Vr F为13pF@4V，1MHz。
SE20PJHM3/85A带电路图，包括13pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1.6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供1.2μs反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.05V@2A。
