9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE20FJHM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE20FJHM3/H参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE20FJHM3/H封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB。您可以下载SE20FJHM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE20FGHM3/I，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-219AB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在DO-219A B（SMF）中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，该器件提供1.1V@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.7A，反向恢复时间trr为920ns，电容Vr F为13pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的SE20FG-M3/H，包括1.1V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-219AB（SMF）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为920ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备也可以用作DO-219AB包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1.7A，电容Vr F为13pF@4V，1MHz。
带有电路图的SE20FG-M3/I，包括13pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计为在1.7A电流平均整流Io下工作，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计为在表面安装中工作，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-219AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供920ns反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A。
