9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5416US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5416美国参考价格10.65000美元。Microchip Technology 1N5416US包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A D5B。您可以下载1N5416US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5416是DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于B、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件采用标准二极管类型，该器件在100V时电流反向泄漏Vr为1μa，电压正向Vf Max If为1.5V@9A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为150ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为4.5 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为150 ns。
1N5415是DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL，包括50V Vr反向电压，它们设计为在1.5V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压DC反向Vr Max，提供了1.1 V等Vf正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作150ns恢复时间。此外，该产品是快速恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有B，包装箱的轴向，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-165℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为150 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为4.5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@50V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5415US，带电路图，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作E-MELF包装盒。此外，包装是散装的，该设备以150ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装是D-5B，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A。
1N5408T-G是Comchip Technology制造的“整流器VRRM=1000V”。1N5408T-G采用DO-210AD封装，是二极管、整流器阵列的一部分，并支持“整流器VRRM=1000V，整流器VRRM=1000V，IAV=3A”。
