9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAV21143，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAV21143参考价格为0.03289美元。Nexperia USA Inc.BAV21143包装/规格：二极管GEN PURP 200V 250MA ALF2。您可以下载BAV21143英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV21113是DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如ALF2，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有250mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAV21133是DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2，包括1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于ALF2的供应商设备包，该设备具有快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns、，除了切割胶带（CT）替代包装包装外，该设备还可以用作DO-204AH、DO-35轴向包装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该设备采用通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为250mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAV21是DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为散装，设备提供50ns反向恢复时间trr，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为250V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
