9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAV21133，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAV21133的参考价格为0.21000美元。Nexperia USA Inc.BAV21133包装/规格：二极管GEN PURP 200V 250MA ALF2。您可以下载BAV21133英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BAV21133价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BAV21113是DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如ALF2，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有250mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAV21是DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
BAV20W-V-GS08，带有VISHAY制造的电路图。BAV20W-V-GS08在SOD-1231206封装中提供，是IC芯片的一部分。
