9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSB7L45-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSB7L45-M3/52T参考价格为0.48000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSB7L45-M3/52T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 3.8A DO214AA。您可以下载VSSB7L45-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSB420S-M3/52T是DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA，包括TMBSR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表注释中显示了用于VS-VSSB420S-M3/52T的零件别名，该产品提供商标特征，如TMBS，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@200V，电压正向Vf Max If为1.9V@4A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1.8A（DC），电容Vr F为120pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.9 V，Ir反向电流为10 mA；如果正向电流为4 A，Vrm重复反向电压为200 V，Ifsm正向浪涌电流为40 A。
VSSB420S-M3/5BT是DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA，包括1.9V@4A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于TMBSR，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@200V，电流平均整流Io为1.8A（DC），电容Vr F为120pF@4V，1MHz。
VSSB520S-E3/52T，带有VISHAY制造的电路图。VSSB520S-E3/52T采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
