9icnet为您提供SMC二极管解决方案设计和生产的GS1M，该解决方案在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GS1M的参考价格为0.18000美元。SMC二极管解决方案GS1M封装/规格：Diode GEN PURP 1KV 1A SMA。您可以下载GS1M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GS1K-TP是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括GS1K系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（HSMA），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为800V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A。
GS1K-LTP是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及DO-214AC、SMA封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
GS1KW，电路图由PANJIT制造。GS1KW采用SMADO-2封装，是IC芯片的一部分。
