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1N4935G是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1N4935系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为300ns。
1N4935GL-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A。
1N4935G-B是整流器Vr/200V Io/1A BULK，包括单一配置，它们设计为在1 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-41，该设备为散装包装，该设备具有产品快速恢复整流器，恢复时间为200ns，单位重量为0.010935 oz，Vf正向电压为1.2V，Vr反向电压为200V。
