9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1GHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1GHE3_A/H参考价格为0.51000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1GHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载RS1GHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1GHE3_A/H，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，该设备提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果，该设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS1GHE3/5AT是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AC（SMA），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为150ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
RS1GHE3/61T是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供150ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
