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1N5402-TP是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD,包括1N540系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于切割胶带(CT)替代包装,提供单位重量功能,如0.038801盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-201AD轴向包装箱,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为DO-201AD,该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电压正向Vf Max If为1V@3A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为40pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,最大工作温度范围为+150°C,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为3 A,最大浪涌电流为200 A。
1N5402T-G是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD,包括1V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-27(DO-201AD)的供应商设备包,该DO-27提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),以及DO-201AD轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~125°C。此外,安装类型为通孔,该器件为标准二极管类型,该器件具有5μa@200V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为3A。
带电路图的1N5402-TG1B 1N5402-TG 1B在DO214封装中提供,是IC芯片的一部分。