9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的1N4007T-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4007T-G参考价格为0.21000美元。Comchip Technology 1N4007T-G封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41。您可以下载1N4007T-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4007-T是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括1N400系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
1N4007TA是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及DO-204AL、DO-41轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~125°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4007S-T，电路图由JH制造。1N4007S-T采用0.652（DO-41）封装，是IC芯片的一部分。
