9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW32-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW32-TR参考价格为0.64000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW32-TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57。您可以下载BYW32-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYW32-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，其中包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为200ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V（1 A），Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为200 ns。
BYW29G-200-TR是DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK，包括1.15V@10A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns的速度特性，以及切割胶带（CT）封装，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件采用表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为8A。
BYW29G-200带有ST制造的电路图。BYW29G-100采用TO-263封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
