9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS21-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS21-HE3-18参考价格为0.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS21-HE3-18封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23。您可以下载BAS21-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS170WS-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BAS170WS-V-G-08，单位重量设计用于0.000152盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作SC-76、SOD-323封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@70V，电压正向Vf Max If为1V@15mA，电压反向Vr Max为70V，电流平均整流Io为70mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~125°C，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1000 mV，Ir反向电流为10 uA，并且如果正向电流是70mA，并且Vrm重复反向电压是70V，并且Ifsm正向浪涌电流是600mA。
BAS170WS-G3-18，带有用户指南，包括70 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1 V@15 mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表说明中显示了用于70 V的电压直流反向Vr Max，提供了1000 mV等Vf正向电压功能，单位重量设计为在0.000152 oz范围内工作，以及Si技术，该设备也可以用作SOD-323供应商设备包。此外，速度为小信号=，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有肖特基二极管产品，Pd功耗为200mW，零件别名为BAS170WS-V-G-18，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为SC-76、SOD-323，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为10 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 mA，Ifs正向电流为70 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μA@70V，电流平均整流Io为70mA，配置为单一，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAS170WS-HE3-08是二极管肖特基70V 70MA SOD323，包括2pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单一配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于70MA，提供电流反向泄漏Vr特性，如10μa@70V，二极管类型设计用于肖特基，以及70MA如果正向电流，该器件也可以用作600mA Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为10 uA，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-55°C~125°C，包装箱为SC-76、SOD-323，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为200mW，产品为肖特基二极管，系列为Automotive，AEC-Q101，速度为小信号=，供应商器件封装为SOD-323，技术为Si，单位重量为0.000152 oz，Vf正向电压为1000 mV，电压DC反向Vr Max为70V，电压正向Vf Max If为1V@15mA，Vrm重复反向电压为70V。
