9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS5P6HM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS5P6HM3_A/H参考价格0.70000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS5P6HM3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A。您可以下载SS5P6HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS5P6HM3_A/H，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于to-277，3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-277A（SMPC）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为150μA@60V，该器件提供690mV@5A电压正向Vf Max If，该器件具有60V的电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为200pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SS5P6HM3/87A是DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A，包括690mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在60V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该器件也可用作TO-277，3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@60V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为200pF@4V，1MHz。
SS5P6HM3/86A是二极管肖特基60V 5A TO277A，包括200pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于150μa@60V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，该设备以eSMPR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为690mV@5A。
