BYW51G-200-TR

Name: BYW51G-200-TR
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 6957381-BYW51G-200-TR
Price: 4.534055 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:二极管种类: 标准二极管架构（配置）: 1对公共阴极最大直流反向电压 (Vr): 200伏单二极管整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: D2PAK 工作结温: 150摄氏度（最高）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
二极管种类标准
速度快速恢复=＜500ns，＞200毫安（Io）
安装类别表面安装
二极管架构（配置） 1对公共阴极
工作结温 150摄氏度（最高）
最大直流反向电压 (Vr) 200伏
单二极管整流平均值 (Io) 10A
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
供应商设备包装 D2PAK
反向恢复时长 (trr) 35纳秒
反向漏电流 @ 直流反向电压 15A@200伏
部件状态过时的
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 850 mV @ 8 A
特点 -

BYW51G-200-TR 产品详情

双中心抽头整流器，适用于开关电源和高频DC到DC
转换器。该设备采用TO-220AB、ISOWATT220AB、TO-220FP、D2PAK或I2PAK封装，适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。

BYW51G-200-TR 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BYW51-100		二极管种类: 标准二极管架构（配置）: 1对公共阴极最大直流反向电压 (Vr): 100伏单二极管整流平均值 (Io): 8A 供应商设备包装: TO-220AB 工作结温: -40摄氏度~150摄氏度	¥5.5046
BYW51-200	安盛美 (onsemi)	二极管种类: 标准二极管架构（配置）: 1对公共阴极最大直流反向电压 (Vr): 200伏单二极管整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: TO-220AB 工作结温: 150摄氏度（最高）	¥6.15647
BYW51100		二极管种类: 标准二极管架构（配置）: 1对公共阴极最大直流反向电压 (Vr): 100伏单二极管整流平均值 (Io): 8A 供应商设备包装: TO-220AB 工作结温: -40摄氏度~150摄氏度	¥5.5046
BYW29EX-200,127	恩智浦 (NXP)	DIODE FAST REC 200V 8A TO220F	¥3.69388
BYW29ED-200,118	恩智浦 (NXP)	DIODE RECT 200V 8A SOT428	¥3.25931
BYW29E-150,127	恩智浦 (NXP)	DIODE RECT UFAST 150V TO220AC	¥2.89716
BYW29E-100,127	恩智浦 (NXP)	DIODE FAST REC 100V 8A TO220AC	¥2.89716
BYW29E-200,127	恩智浦 (NXP)	DIODE FAST REC 200V 8A TO220AC	¥2.96959
BYW51-200G	安盛美 (onsemi)	二极管种类: 标准二极管架构（配置）: 1对公共阴极最大直流反向电压 (Vr): 200伏单二极管整流平均值 (Io): 8A 供应商设备包装: TO-220 工作结温: -65摄氏度~175摄氏度	¥12.7475
BYW29-200G	安盛美 (onsemi)	二极管种类: 标准最大直流反向电压 (Vr): 200伏整流平均值 (Io): 8A 反向恢复时长 (trr): 35纳秒供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -65摄氏度~175摄氏度	¥7.60505

BYW51G-200-TR所属分类：二极管/整流器阵列，BYW51G-200-TR 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BYW51G-200-TR价格参考￥4.534055，你可以下载 BYW51G-200-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BYW51G-200-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！