FEP16AT

FEP16AT–FEP16JT离散电源和信号技术FEP16AT-FEP16JT功能•低正向压降。高浪涌电流容量。高电流能力。高可靠性。0.113（2.87）0.103（2.62）0.27（6.86）0.23（5.84）0.412 0.56（14.22）AC箱销20.037（0.94）0.027（0.68）0.53（13.46）0.025（0.64）0.105（JEDEC方法）总器件损耗降额超过25°C热阻、结对环境热阻、结到引线存储温度范围工作结温度值16单位A 200 8.33 66 15 2.2-65至+150-65至+150 A W mW/°C°C/W°C/W℃°C*这些额定值是限制值，超过这些值，任何半导体器件的可用性都可能受到影响。电气特性参数TA=25°C，除非另有说明，设备16AT 16BT 100 70 100 16CT 150 105 150 16DT 200 140 200 10 500 35 0.95 85 1.3 50 1.5 60 16FT 300 210 300 16GT 400 280 400 16HT 500 350 500 16JT 600 420 600 50 35 50单位V V VµAµA nS V pF峰值重复反向电压最大RMS电压DC阻断电压（额定VR）额定VR T A=25°T A=100°C最大反向恢复时间IF=0.5 A，IR=1.0 A，IRR=0.25 A最大正向电压@8.0A典型结电容VR=4.0。f=1.0 MHz©1999 Fairchild Semiconductor Corporation FEP16AT–FEP16JT，修订版。A FEP16AT–FEP16JT典型特性正向电流降额曲线峰值正向浪涌电流（A）20正向电流（A100正向电流（A）FEP16AT-FEP16DT反向特性1000反向电流（µA）10 FEP16FT-FEP16JT 100 T A=100ºC 1 10 0.1 TA=25ºC脉宽=300µs 2%占空比1 T A=25ºC 0.01 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4正向电压（V）1.6 1.8 0 20 40 60 80 100 120 140额定峰值反向电压（%）的百分比结电容100 90电容（pF）80 70 60 50FEP16FT-FEP16JT 40 FEP16AT-FEP16DT 1 2 5 10 20反向电压（V）50 100 50Ω 非导电50