9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MUR5010R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUR5010R参考价格25.25000美元。GeneSiC半导体MUR5010R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5。您可以下载MUR5010R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR5005R是DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5，包括MUR50系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308盎司，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可用作底盘、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1V@50A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为50A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为50 A，最大浪涌电流为600 A。
MUR5010是DIODE GEN PURP 100V 50A DO5，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1V@50A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的电压直流反向Vr Max，该100V提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计为1.005308盎司，以及DO-5供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MUR50，该设备提供75ns反向恢复时间trr，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为600 a，Ir反向电流为10μA，If正向电流为50 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为50A。
MUR5005是DIODE GEN PURP 50V 50A DO5，包括50A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流功能，如50 a，Ir反向电流设计为在10uA下工作，以及600 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为螺柱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有DO-203AB、DO-5、包装箱螺柱，包装为散装，产品为超快恢复整流器，反向恢复时间trr为75ns，系列为MUR50，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商装置包装为DO-5，单位重量为1.005308oz，Vf正向电压为1V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@50A，Vr反向电压为50V。
