9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的1N4151，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4151参考价格$0.01247。Diotec Semiconductor 1N4151封装/规格：DIODE DO-35 75V 0.2A 2NS。您可以下载1N4151英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4151价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4150W-G3-18，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于SOD-123封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD-123，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@200mA，该器件提供50V电压直流反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
1N4150W-HE3-08，带用户指南，包括1V@200mA正向电压Vf Max，如果设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于SOD-123，提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为在4ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）交替包装，该器件也可用作SOD-123封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
1N4150W-HE3-18，带电路图，包括2.5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOD-123，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
