9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的UGB8DT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB8DT价格参考0.60480美元。Diotec Semiconductor UGB8DT封装/规格：DIODE SFR D2PAK 200V 8A。您可以下载UGB8DT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UGB8CT-E3/81是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，正向电压Vf Max If为1V@8A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为30ns，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-55°C，20 A时Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为30 ns。
UGB8CT-E3/45是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在1V@8A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，其提供了20 a时1.2 V的正向电压特性，单位重量设计为0.063493盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在30ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，电流平均整流Io为8A，并且配置为单双阴极。
UGB8CTHE3/81是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1V@8A。
UGB8CTHE3/45是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括管替代包装包装，它们设计用于与to-263AB供应商设备包一起操作，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的包装盒，该to-263AC提供了表面安装等安装类型功能，除了快速恢复=20mA（Io）速度外，该器件还可以用作8A电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件提供30ns反向恢复时间trr，该器件的电压正向Vf Max If为1V@8A，电压直流反向Vr Max为150V，电流反向泄漏Vr为10μa@150V。
