9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BAV19，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV19的参考价格为0.02584美元。Diotec Semiconductor BAV19封装/规格：DIODE DO-35 100V 0.25A 50NS。您可以下载BAV19英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV17-TR是DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@220V，该器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有20V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（Max）。
BAV18-TR是DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度结范围为175°C（最大值），装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV18-TAP是DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35，包括1.5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于250MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB）替代包装，该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为1V@100mA。
