9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AU3PM-M3/86A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。AU3PM-M3/86A参考价格1.02000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AU3PM-M3/86A封装/规格:DIODE AVLANCHE 1KV 1.4A TO277。您可以下载AU3PM-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AU3PMHM3_A/H是DIODE AVLANCH 1KV 1.4A TO277A,包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于to-277A(SMPC),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@1000V,该器件提供2.5V@3A电压正向Vf Max If,该器件具有1000V(1kV)电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1.4A,反向恢复时间trr为75ns,电容Vr F为42pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
AU3PMHM3_A/I,带有用户指南,包括2.5V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计用于1000V(1kV)直流反向电压Vr Max,则数据表说明中显示了用于to-277A(SMPC)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、,以及75ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)替代包装包装。此外,封装外壳为TO-277,3-PowerDFN,其工作温度结范围为-55°C~175°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为10μa@1000V,电流平均整流Io为1.4A,电容Vr F为42pF@4V,1MHz。
AU3PMHM3/87A带电路图,包括42pF@4V、1MHz电容Vr F,设计用于1.4A(DC)电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于10μa@1000V,提供雪崩等二极管类型功能,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件也可用作TO-277,3-PowerDFN封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供75ns反向恢复时间trr,设备具有系列eSMPR,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为TO-277A(SMPC),电压直流反向Vr最大值为1000V(1kV),电压正向Vf最大值If为2.5V@3A。