9icnet为您提供Diotec Semiconductor设计和生产的FR3M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FR3M价格参考0.18660美元。Diotec Semiconductor FR3M封装/规格：DIODE FR SMC 1000V 3A。您可以下载FR3M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FR3J-TP是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于DO-214AB SMC包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-214AA（SMC），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@3A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为80pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
FR3KTATR带用户指南，包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMC中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为500ns，以及Digi-ReelR替代包装，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
FR3JTA带有电路图，包括60pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供250ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SMC（DO-214AB），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.3V@3A。
具有SUMMIT制造的EDA/CAD模型的FR3M。FR3M采用DO-214ABSMC封装，是IC芯片的一部分，支持快速恢复SMD整流二极管。
