9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的UGB8JT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB8JT参考价格0.61560美元。Diotec Semiconductor UGB8JT封装/规格：DIODE SFR D2PAK 600V 8A。您可以下载UGB8JT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UGB8HT-E3/81是DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为30μa@500V，正向电压Vf Max If为1.75V@8A，直流反向电压Vr Max为500V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.75 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为30 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为50 ns。
UGB8HTHE3/81是DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB，包括1.75V@8A电压正向Vf Max。如果设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为30μa@500V，并且电流平均整流Io为8A。
UGB8HTHE3/45是DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在30μa@500V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可作为管替代包装包装使用。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为500V，电压正向Vf Max If为1.75V@8A。
UGB8JCT-E3/31是VIHSAY制造的600V 8A 3引脚（2+Tab）TO-263AB T/R二极管开关。UGB8JCT-E3/31采用TO-263封装，是IC芯片的一部分，支持二极管开关600V 8A 3引脚（2+Tab）TO-263AB T/R。
