9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA04TB60-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA04TB60-M3参考价格为0.84000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA04TB60-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC。您可以下载VS-HFA04TB60-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-HFA04TB60-N3，带有引脚细节，包括HEXFRED系列，它们设计用于超快速回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供商品名功能，如HEXFRED，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及to-220-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AC，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为3μa@600V，正向电压Vf Max If为1.8V@4A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为4A，反向恢复时间trr为42ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为170 nA，如果正向电流为4 A，恢复时间为28 ns。
VS-HFA04SD60STRRP是DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK，包括1.8V@4A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及42ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为3μa@600V，电流平均整流Io为4A。
VS-HFA04SD60STRPBF是DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作3μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装。此外，反向恢复时间trr为42ns，该设备为HEXFREDR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.8V@4A。
