9icnet为您提供Diotec Semiconductor设计和生产的ER3M,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ER3M价格参考0.19700美元。Diotec Semiconductor ER3M封装/规格:DIODE SFR SMC 1000V 3A。您可以下载ER3M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ER3J-TP是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB,包括ER3系列,设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供DO-214AB、SMC等包装箱功能,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,该器件提供5μA@600V电流反向泄漏Vr,该器件的正向电压Vf Max If为1.7V@3A,直流反向电压Vr Max为600V,平均整流电流Io为3A,反向恢复时间trr为35ns,其工作温度结范围为-50°C ~ 175°C,它的最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-50 C,Vf正向电压为1.7 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为3 A,最大浪涌电流为100 A,恢复时间为35 ns。
ER3K-TP是DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB,包括1.7V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AB(SMC)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为75ns,除了Digi-ReelR替代封装外,该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@800V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为45pF@4V,1MHz。
ER3JT/R,电路图由PANJIT制造。ER3JT/R采用SMC封装,是IC芯片的一部分。
ER3J-T/R,带有PANJIT制造的EDA/CAD模型。ER3J-T/R采用DO-214AB封装,是IC芯片的一部分。