9icnet为您提供Diotec Semiconductor设计和生产的ER3M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ER3M价格参考0.19700美元。Diotec Semiconductor ER3M封装/规格：DIODE SFR SMC 1000V 3A。您可以下载ER3M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如ER3M价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ER3J-TP是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括ER3系列，设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供DO-214AB、SMC等包装箱功能，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供5μA@600V电流反向泄漏Vr，该器件的正向电压Vf Max If为1.7V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为3A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-50°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-50 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为35 ns。
ER3K-TP是DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB，包括1.7V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ER3JT/R，电路图由PANJIT制造。ER3JT/R采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
ER3J-T/R，带有PANJIT制造的EDA/CAD模型。ER3J-T/R采用DO-214AB封装，是IC芯片的一部分。
